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    莆田LED顯示屏芯片容易出現的問題總結

    2022-04-08 閱讀 44689

    LED芯片是LED產品的心臟,主要功能就是把電能轉化成光能,在使用過程中,LED顯示屏芯片也會出現各種各樣的問題,現在就讓我們一起看看LED芯片容易出現的問題吧!

    1、正向電壓降低、暗光

    (1)一種是電極與發(fā)光材料為歐姆接觸,但接觸電阻大,主要由材料襯底低濃度或電極缺損所致。

    (2)一種是電極與材料為非歐姆接觸,主要發(fā)生在芯片電極制備過程中蒸發(fā)di一層電極時的擠壓印或夾印,分布位置。

    另外封裝過程中也可能造成正向壓降低,主要原因有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等造成接觸電阻大或接觸電阻不穩(wěn)定。

    正向壓降低的芯片在固定電壓測試時,通過芯片的電流小,從而表現暗點,還有一種暗光現象是芯片本身發(fā)光效率低,正向壓降正常。


    2、難壓焊

    (1)打不粘:主要因為電極表面氧化或有膠

    (2)有與發(fā)光材料接觸不牢和加厚焊線層不牢,其中以加厚層脫落為主。

    (3)打穿電極:通常與芯片材料有關,材料脆且強度不高的材料易打穿電極,一般GAALAS材料(如高紅,紅外芯片)較GAP材料易打穿電極。

    (4)壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時間,壓力,金球大小,支架定位等進行調整。


    3、發(fā)光顏色差異

    (1)同一張芯片發(fā)光顏色有明顯差異主要是因為外延片材料問題,ALGAINP四元素材料采用量子結構很薄,生長是很難保證各區(qū)域組分一致。(組分決定禁帶寬度,禁帶寬度決定波長)。

    (2)GAP黃綠芯片,發(fā)光波長不會有很大偏差,但是由于人眼對這個波段顏色敏感,很容易查出偏黃,偏綠。由于波長是外延片材料決定的,區(qū)域越小,出現顏色偏差概念越小,故在M/T作業(yè)中有鄰近選取法。

    (3)GAP紅色芯片有的發(fā)光顏色是偏橙黃色,這是由于其發(fā)光機理為間接躍進。受雜質濃度影響,電流密度加大時,易產生雜質能級偏移和發(fā)光飽和,發(fā)光是開始變?yōu)槌赛S色。


    4、閘流體效應

    (1)是發(fā)光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到一定程度,電流產生突變。

    (2)產生閘流體現象原因是發(fā)光材料外延片生長時出現了反向夾層,有此現象的LED在IF=20MA時測試的正向壓降有隱藏性,在使用過程是出于兩極電壓不夠大,表現為不亮,可用測試信息儀器從晶體管圖示儀測試曲線,也可以通過小電流IF=10UA下的正向壓降來發(fā)現,小電流下的正向壓降明顯偏大,則可能是該問題所致。


    5、反向漏電流IR

    在限定條件下反向漏電流為二極管的基本特性,按LED以前的常規(guī)規(guī)定,指反向電壓在5V時的反向漏電流。隨著發(fā)光二極管性能的提高,反向漏電流會越來越小。IR越小越好,產生原因為電子的不規(guī)則移動。

    (1)芯片本身品質問題原因,可能晶片本身切割異常所導致。

    (2)銀膠點的太多,嚴重時會導致短路。外延造成的反向漏電主要由PN結內部結構缺陷所致,芯片制作過程中側面腐蝕不夠或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液調配銀膠。以防止銀膠通過毛細現象爬到結區(qū)。

    (3)靜電擊傷。外延材料,芯片制作,器件封裝,測試一般5V下反向漏電流為10UA,也可以固定反向電流下測試反向電壓。不同類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可達到一百多伏,而普紅芯片則在十幾二十伏之間。

    (4)焊線壓力控制不當,造成晶片內崩導致IR升高。

    解決辦法:

    (1)銀膠膠量需控制在晶片高度的1/3~1/2;

    (2)人體及機臺靜電量需控制在50V以下;

    (3)焊線di一點的壓力應控制在30~45g之間為佳。


    6、死燈現象

    (1)LED的漏電流過大造成PN結失效,使LED燈點不亮,這種情況一般不會影響其他的LED燈的工作。

    (2)LED燈的內部連接引線斷開,造成LED無電流通過而產生死燈,這種情況會影響其他的LED燈的正常工作,原因是由于LED燈工作電壓低(紅黃橙LED工作電壓1.8v-2.2v,藍綠白LED工作電壓2.8-3.2v),一般都要用串、并聯來聯接,來適應不同的工作電壓,串聯的LED燈越多影響越大,只要其中有一個LED燈內部連線開路,將造成該串聯電路的整串LED燈不亮。

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